n型MOSFETのみを用いた三相ダイオードクランプリニアアンプの動作検証

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC15193,HCA15062,VT15033

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 家電・民生/【D】産業応用部門 自動車合同研究会

発行日: 2015/12/17

タイトル(英語): Experimental Verification of Three-Phase Diode-Clamped Linear Amplifiers using only n-channel MOSFETs

著者名: 河井 伸哉(長岡技術科学大学),横倉 勇希(長岡技術科学大学),大石 潔(長岡技術科学大学),芳賀 仁(長岡技術科学大学)

著者名(英語): Shinya Kawai(Nagaoka University of Technology),Yuki Yokokura(Nagaoka University of Technology),Kiyoshi Ohishi(Nagaoka University of Technology),Hitoshi Haga(Nagaoka University of Technology)

キーワード: 線形増幅回路|ＥＭＩ|ダイオードクランプ|ＭＯＳＦＥＴ|モータドライブ|Linear Amplifier|EMI|Diode-Clamping circuit|MOSFET|Motor drive

要約(日本語): 一般的なモータ駆動にはPWMインバータが多く用いられるが急峻な出力電圧の変化による高周波漏れ電流やEMIが発生する。ダイオードクランプリニアアンプ(DCLA)は高効率かつ低雑音な電力変換が可能であるが、n型とコンプリメンタリペアなp型MOSFETを用いるために動作特性の悪化や素子選定の制約がある。本稿では、n型MOSFETのみでDCLAを構成し単相と三相でシミュレーションと実験を行い低雑音な電圧および電流出力が得られたためこれを報告する。

要約(英語): In general, VSI is widely used to motor drive that generates electro-magnetic interference. Diode-Clamped Linear Amplifier (DCLA) can output low-noise and high-efficiency power conversion, however conventional DCLA uses n-channel and complementary p-channel MOSFETs. DCLA proposed in this paper use only n-channel MOSFETs, achieves low-noise voltage and current output.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,255 Kバイト