SiCパワーMOSFETにおける帰還容量の測定とモデル化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC15201,HCA15070,VT15041

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 家電・民生/【D】産業応用部門 自動車合同研究会

発行日: 2015/12/17

タイトル(英語): Measurement and modeling of reverse transfer capacitance for SiC power MOSFET

著者名: 新谷 道広(京都大学),中村 洋平(京都大学),廣本 正之(京都大学),引原 隆士(京都大学),佐藤 高史(京都大学)

著者名(英語): Michihiro Shintani(Kyoto University),Nakamura Yohei(Kyoto University),Masayuki Hiromoto(Kyoto University),Takashi Hikihara(Kyoto University),Takashi Sato(Kyoto University)

キーワード: デバイスモデリング|ＳｉＣ|容量特性|スイッチング特性|回路シミュレーション|Device modeling|SiC|Capacitance characteristic|Switching characteristic|Circuit simulation

要約(日本語): SiCパワーMOSFETの帰還容量Crssは電圧依存性が大きく，スイッチング動作へ強く影響する．このため回路シミュレーション用SiCパワーMOSFETモデルの開発において，その正確なモデル化が重要である．本稿では，Crssの測定方法と物理動作に基づくCrssモデルを提案する．市販SiCパワーMOFSETを用いた検証により，モデル化が精度よく行えていることを示す．

要約(英語): Reverse transfer capacitance, Crss, is important for accurate modeling of SiC MOSFET because it significantly affects its switching behavior. In this paper, we propose a new Crss measurement method for wider voltage range and a physics-based Crss model. The proposed model is experimentally validated by comparing the measurement results.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,373 Kバイト