共振型ゲート駆動回路の分類と特性に関する一考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC15202,HCA15071,VT15042

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 家電・民生/【D】産業応用部門 自動車合同研究会

発行日: 2015/12/17

タイトル(英語): Study on classification of resonant gate drive circuit and its characteristics.

著者名: 野下 裕市(東京都立産業技術高等専門学校)

著者名(英語): Noge Yuichi(Tokyo Metropolitan College of Industrial Technology)

キーワード: 次世代パワー半導体|共振型ゲート駆動回路|Next generation power semiconductor|Resonant gate drive circuit

要約(日本語): 近年のスイッチング周波数の向上に伴い，パワー半導体を駆動するためのゲート駆動回路には，省電力化が求められている。90年代から開発が続く共振型ゲート駆動回路の研究開発をふり返り，次世代パワー半導体による高電圧・高速スイッチングに対応する研究要素を考察する。

要約(英語): In recent years, switching frequency of the power converter is increased. Therefore, power saving is required for driving power semiconductors. This paper looks back the development history of the resonant gate drive circuit from the '90s. Then, the research elements for corresponding to the high-voltage and high-speed switching by next-generation power semiconductors has been considered.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,534 Kバイト