SiC MOSFETを用いたMHz帯スイッチングにおける臨界モードインターリーブ昇圧チョッパの実験的検証

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC16111,MD16075

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2016/08/22

タイトル(英語): Experimental Verification on Boundary Conduction Mode Interleaved Boost Chopper using SiC MOSFET under MHz Range Switching Condition

著者名: 渡辺 拓実(立命館大学),伊藤 徹(立命館大学),柿ヶ野 浩明(立命館大学)

著者名(英語): Watanabe Takumi(Ritsumeikan University),Ito Toru(Ritsumeikan University),Kakigano Hiroaki(Ritsumeikan University)

キーワード: ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|高周波スイッチング|昇圧チョッパ|インターリーブ|臨界モード|SiC MOSFET|high-frequency switching|boost chopper|interleaved|boundary conduction mode

要約(日本語): 近年，省スペース化などから電力変換器の小型化の要求が高まっている。これまでに著者らは，シリコンMOSFETと比較してSiC MOSFETはターンオン時間が長く，ターンオフ時間が短いことを確認した。そこで，ターンオンをソフトスイッチングとすることでSiC MOSFETの性能を引き出せると考え，臨界モードインターリーブ昇圧チョッパを用いてMHz帯高周波スイッチングで受動素子の小型化を図った。本稿では，実験による検証結果について述べる。

要約(英語): Recently, the demand of miniaturization of switching regulator is increasing. We have ever confirmed that turn-on time of SiC MOSFET is longer than Si MOSFET and turn-off time is shorter. In this paper, it is assumed that the performance of SiC MOSFET can be fully derived by soft switching at turn-on, hence, we verified performance of SiC MOSFET using BCM Interleaved Boost Chopper around MHz switching frequency.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,929 Kバイト