表面実装GaN-HFETを導入した非接触給電ZVS共振形コンバータの性能評価 -第一報-

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC17003,MD17003

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2017/01/27

タイトル(英語): Performance Evaluation of SMD GaN-HFET based ZVS Resonant DC-DC Converter for Inductive Power Transfer Applications -the First Report-

著者名: 森田 栄太郎(神戸大学),三島 智和(神戸大学)

著者名(英語): Eitaro Morita(Kobe university),Tomokazu Mishima(Kobe university)

キーワード: 電磁誘導方式非接触給電（ＩＰＴ）|高周波共振形（ＨＦ－Ｒ）インバータ|ＧａＮパワーデバイス|表面実装デバイス（ＳＭＤ）|擬似ダイオードモード|ソフトスイッチング|Inductive power transfer(IPT)|high-frequency resonant(HF-R) inverter|GaN power devices|surface mount device(SMD)|pseudo diode mode|soft switching

要約(日本語): 筆者らはこれまでに，ノーマリーオフを実現した高耐圧600V系のGaN-HFETに着目し，スイッチング周波数85kHzにおけるGaN-HFET応用IPT-部分共振ゼロ電圧ソフトスイッチング(ZVS)コンバータを提案し，詳細に実機検証を行っている。_x000D_ 　本稿では，提案IPT-ZVSコンバータの高周波化へのファーストステップとして，SMDパッケージGaN-HFETを適用したIPT-ZVSコンバータを新たに検討する。ここでは，寄生容量を効果的に利用したスナバキャパシタレスZVS動作と，高効率な非接触電力伝送が可

要約(英語): This paper presents a novel prototype of a soft-switching HF resonant dc-dc power converter with high breakdown-voltage SMD packaged GaN-HFET for IPT systems. The advantageous performances of the SMD GaN-HFET applied IPT-ZVS converter are demonstrated in experiment of a 500W-400kHz prototype, after which the feasibility is discussed from a practical point of view.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,961 Kバイト