GaN-HFETを適用したMHz級Φ2級インバータの動作特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC17020,MD17020

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2017/01/27

タイトル(英語): Operating Characteristics of Class Phi-2 Inverter using GaN-HFET

著者名: 柳澤 佑太(大阪大学),三浦 友史(大阪大学),半田 浩之(パナソニック),上田 哲三(パナソニック),伊瀬 敏史(大阪大学)

著者名(英語): Yuta Yanagisawa(Osaka University),Yushi Miura(Osaka University),Hiroyuki Handa(Panasonic Corporation),Tetsuzo Ueda(Panasonic Corporation),Toshifumi Ise(Osaka University)

キーワード: ワイドバンドギャップ半導体|ＧａＮ－ＨＦＥＴ|Φ２級インバータ回路|Wide-bandgap semiconductor|GaN-HFET|Class Phi-2 inverter circuit

要約(日本語): 近年、ワイドバンドギャップ半導体が実用化段階にあり、中でもGaN-HFETは600V程度の高耐圧で低オン抵抗を有し、高速スイッチングを得意とする。本論文では、MHzの周波数で動作する回路であるΦ2級インバータ回路に対してGaN-HFETを適用した結果について報告する。MHz帯の動作かつ出力電力100W程度の下で、インダクタの種類を変えて回路の効率特性を評価した。

要約(英語): In this paper, application of a GaN-HFET which has high frequency operating characteristics with low on-state resistance under high withstand voltage, to the class Phi-2 inverter circuit was investigated. Experimental results under the operation of MHz range and 100 W output power were obtained. This paper shows efficiency characteristics with different inductors.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,822 Kバイト