並列接続されたMOSFETのゲート駆動時における発振現象に関する一検討-モード分解と固有値にもとづく安定性解析-

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC17100

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2017/06/05

タイトル(英語): A study on oscillation phenomena in gate driving of parallel connected MOSFETs

著者名: 舟木 剛(大阪大学),井渕 貴章(大阪大学)

著者名(英語): Tsuyoshi FUNAKI(Osaka Univ.),Takaaki IBUCHI(Osaka Univ.)

キーワード: 発振|ゲート駆動|並列接続|ＭＯＳＦＥＴ|Oscillation|Gate drive|Parallel connection|MOSFET

要約(日本語): パワーモジュールで電流容量を大きくするためにMOSFETを並列接続すると，実装条件によってはゲート駆動時において発振現象が観察されることがある。_x000D_ 本研究では，この発振現象についてディファレンシャル・コモンモードの観点で解析モデルを構築し，固有値をもとにした安定性解析を行う。_x000D_ 同時に，固有ベクトルや寄与率を用いて支配モードについて検討を行う。_x000D_

要約(英語): Parallel connected MOSFETs may oscillate in gate driving operation. This study analyses the oscillation phenomena on the basis of eigen value stability analysis and mode decomposition.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 913 Kバイト