Superjunction-MOSFETを適用した Zソースインバータの昇圧動作に伴う損失の解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC17136,MD17087

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2017/09/07

タイトル(英語): Loss Analysis of Z-source Inverter Applying Superjunction-MOSFET from Perspective of Boost Ratio

著者名: 鴨志田 直樹(筑波大学),飯嶋 竜司(筑波大学),磯部 高範(筑波大学),只野 博(筑波大学)

著者名(英語): Naoki Kamoshida(University of Tsukuba),Ryuji Iijima(University of Tsukuba),Takanori Isobe(University of Tsukuba),Hiroshi Tadano(University of Tsukuba)

キーワード: Ｚソースインバータ|Ｓｕｐｅｒｊｕｎｃｔｉｏｎ－ＭＯＳＦＥＴ|上下短絡|損失解析|Z-source inverter| Superjunction MOSFET|Short-through|Loss analysis

要約(日本語): Ｚソースインバータは，通常のインバータ動作に加え，上下短絡動作を利用した昇圧機能を備える回路方式である。この方式はSuperjunction-MOSFETと組み合わせることで，デバイスの動特性の欠点を回避し，優れた静特性のみの利用が可能である。本研究では，このＺソースインバータとSuperjunction-MOSFETの組み合わせにおける，昇圧に伴う回路損失の推移を実験的に明らかにし，その適用領域についての検討を行った。

要約(英語): Z-source inverter can work as an inverter with boost capability in one stage by its impedance source and using short-through mode as a switching mode.Poor switching characteristics of Superjunction-MOSFET is avoided to be used when the device is applied to the Z-source topology.This paper shows experimentally measured circuit loss depending on the boost ratio, and analytical loss breakdown is discussed to show advantageous operating condition of Z-source inverter.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,080 Kバイト