6.5 kV耐圧SiC-MOSFETモジュールの連続スイッチング試験

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC18024,MD18024

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2018/01/19

タイトル(英語): Continuous Switching Test of 6.5-kV SiC-MOSFET Modules

著者名: 生出 珠之助(東京工業大学),手崎 和明(東京工業大学),市川 耕作(東京工業大学),萩原 誠(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),大開 美子(三菱電機),西沢 昭則(三菱電機)

著者名(英語): Tamanosuke Oide(Tokyo Institute of Technology),Kazuaki Tesaki(Tokyo Institute of Technology),Kosaku Ichikawa(Tokyo Institute of Technology),Makoto Hagiwara(Tokyo Institute of Technology),Hirofumi Akagi(Tokyo Institute of Technology),Yoshiko Obkiraki(Mitsu

キーワード: ６．５　ｋＶ　ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴモジュール|損失推定|単相ＰＷＭインバータ|6.5-kV SiC-MOSFET modules|power-loss estimation|single-phase PWM inverters

要約(日本語): 近年，半導体電力変換器の更なる高効率化，小型化を目指してSiC-MOSFETの開発が進められている。本報告では，6.5-kV SiC-MOSFETモジュールを使用した単相フルブリッジPWMインバータを試作し、スイッチング試験を行って動作中のジャンクション温度の推定と損失評価を行った。この研究は次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト(管理法人：NEDO)により実施された。関係各位に感謝する。

要約(英語): This paper presents a continuous switching test of a single phase PWM inverter using 6.5-kV SiC-MOSFET modules. The loss was evaluated in three ways. In addition, transient thermal analysis was performed to estimate the transition of the junction temperature during operation.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,094 Kバイト