SiC-MOSFET 直列接続時における電圧バランス制御

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC18025,MD18025

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2018/01/19

タイトル(英語): Voltage Balancing Vontrol in Series Connection of SiC-MOSFET

著者名: 神宮 克哉(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)

著者名(英語): Katsuya Shingu(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: 直列接続|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|電圧フィードバック|Series connection|SiC-MOSFET|Voltage feedback

要約(日本語): 近年，SiCパワーデバイスの研究開発が盛んに行われ，1.7 kV耐圧までのSiC-MOSFETが市販されるようになってきた。高電圧回路に市販デバイスを用いる手法として直列接続が考えられるが，パワーデバイスの直列接続ではパワーデバイスの特性差やゲート駆動回路の遅延時間による電圧分担不平衡が課題となる。本稿では電圧分担不平衡を零とするための手法を提案し，フィードバック制御を適用した実験検証を行ったので報告する。

要約(英語): Recently, with research and development of SiC power devices, 1.7 kV SiC-MOSFET has become commercially available. The parameters of SiC-MOSFET are depended on each power devices, and those affect the voltage sharing in series connection of the MOSFET. This paper presents and validates a time-adjustment gate-drive circuit using a digital delay line; experimental results with feedback control of time-adjustment using a buck chopper circuit with 1.2 kV SiC-MOSFETs are also presented.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,845 Kバイト