スイッチングデバイス並列接続による電流アンバランスの改善を目的とした構造設計

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC18141,MD18101

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2018/09/06

タイトル(英語): Design of Circuit Geometry to Improve Current Unbalancing for Parallel Connection of SiC-MOSFETs

著者名: 松原 壱樹(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)

著者名(英語): Kazuki Matsubara(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: 電流バランス|並列接続|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|Current balancing|Parallel connection|SiC-MOSFET

要約(日本語): 電力変換回路の大電流化に伴い，パワーデバイスは多並列接続して使用される。パワーデバイスの並列接続では，各デバイス電流のアンバランスが課題となる。筆者らは，寄生インダクタンスと寄生抵抗に起因する電流アンバランスについて検討を行った。本論では，デバイスの動作状況を含めた回路解析を行い，その実験検証を行ったので報告する。

要約(英語): This paper shows the analysis of current unbalancing caused by parasitic inductance and resistance. Validity of current unbalancing analysis are verified through simulation and experiment.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,283 Kバイト