直列接続したSiC-MOSFET電圧アンバランスに関する一検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC18174,HCA18045,VT18045

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 家電・民生/【D】産業応用部門 自動車合同研究会

発行日: 2018/12/06

タイトル(英語): A study on Voltage distribution among SiC-MOSFETs

著者名: 角谷 龍河(大阪大学),中村 孝(大阪大学)

著者名(英語): Ryuga Kadoya(Osaka University),Takashi Nakamura(Osaka University)

キーワード: ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|直列接続|電圧バランス|寄生容量|SiC-MOSFET|Series connection|Voltage distribution unbalance|Parasitic capacitance

要約(日本語): 複数直列接続したMOSFETをスイッチング動作させたとき、各デバイスの寄生容量や閾値電圧といった特性の差異やゲート駆動信号の遅延差によって、ターンオフ後にかかるドレイン・ソース間電圧が均等に分担されず、一部のデバイスに過剰な電圧がかかり素子破壊を招く問題がある。本研究ではSiC-MOSFETを用いて直列回路の製作を行い、電圧アンバランス発生の要因に着目し、その低減方法について検討を行った。

要約(英語): Each MOSFETs drain-source voltage of series connected under the turn-off operation is an unbalance because of the difference between the characteristic of each MOSFETs and gate drive signal, so device is destroyed. In this research, we focus on the cause of unbalance distribution voltage, and discuss about the reduction method of unbalance.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,592 Kバイト