直列インダクタを挿入することによるMOSFETのゲート引き抜きの高速化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC19012,MD19012

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2019/01/25

タイトル(英語): High Speed Gate Discharge of a MOSFET by Inserting a Series Inductor

著者名: 柳沼 大貴(豊橋技術科学大学),北岡 晃(豊橋技術科学大学),大平 孝(豊橋技術科学大学)

著者名(英語): Daiki Yaginuma(Toyohashi Univesity of Technology),Hikaru Kitaoka(Toyohashi Univesity of Technology),Takashi Ohira(Toyohashi Univesity of Technology)

キーワード: ＭＯＳＦＥＴ|ＳｉＣ|立ち下がり時間|ゲート引き抜き|高速化|最適化|MOSFET|SiC|fall time|gate discharge|high speed gate discharge|Optimization

要約(日本語): 半導体電力変換器の高電力密度化が期待されるSiC MOSFETであるが，ゲート容量が大きいことから立ち下がり時間が長いという欠点がある．そこで本研究では引き抜きの際にゲートとGNDの間に直列インダクタを挿入し，ゲート引き抜きの高速化を目指した．その結果，最適L値がゲート容量とゲート抵抗によって与えられ，最適インダクタを挿入したときに最も引き抜き時間が短くなることを実験によって示した．

要約(英語): SiC MOSFETs have a disadvantage of a long fall time due to a large gate capacitance. In this study, we aim for high speed gate discharge by inserting a series inductor. As a result, the experiment showed that the optimum inductance is given by the gate capacitance and resistance, and discharge time is shortest when inserting the optimum inductor.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,654 Kバイト