三次元電磁界解析に基づくSiCパワーモジュール内配線の寄生インダクタンスモデル化に関する一検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC19143

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2019/11/15

タイトル(英語): A study on modeling of parasitic inductance in SiC power module based on 3D electromagnetic analysis

著者名: 井渕 貴章(大阪大学),京谷 千春(大阪大学),舟木 剛(大阪大学),宮崎 達也(ローム),大河内 裕太(ローム),中原 健(ローム)

著者名(英語): Takaaki Ibuchi(Osaka University),Chiharu Kyotani(Osaka University),Tsuyoshi Funaki(Osaka University),Tatsuya Miyazaki(ROHM Semiconductor),Yuta Okawauchi(ROHM Semiconductor),Ken Nakahara(ROHM Semiconductor)

キーワード: ＳｉＣパワーモジュール|寄生インダクタンス|ＤＣリンクキャパシタ|有限要素法|部分要素等価回路法|SiC power module|parasitic inductance|DC-link decoupling capacitor|Finite Element Method|Partial Element Equivalent Circuit method

要約(日本語): SiCパワーモジュールを用いた高速スイッチングにより高電圧電力変換回路の更なる低損失化が期待される。ただし、電圧・電流の急峻な変化と回路の寄生成分との相互作用により生じるサージ・リンギングは周辺回路の誤動作を招く電磁ノイズを引き起こす場合がある。低電磁ノイズ設計に向け、本稿では立体構造を有するSiCパワーモジュール内配線を対象に、電磁界解析に基づく寄生インダクタンスのモデル化について報告する。

要約(英語): Fast switching operation using SiC power module is expected to loss in high voltage power conversion circuit. However, interaction between large di/dt, dv/dt and parasitic components in circuit induce surge and ringing oscillation. These may result in electromagnetic interference noise. This report studies modeling of parasitic inductance in SiC power module based on 3D electromagnetic analysis for low-electromagnetic interference design.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,559 Kバイト