デバイスの静特性のみに基づいたスイッチングモデルによるスイッチング損失推定法の実験検証

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC19174,HCA19053,VT19027

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 家電・民生/【D】産業応用部門 自動車合同研究会

発行日: 2019/12/06

タイトル(英語): Experimental Verification of a Switching Loss Estimation Method Based on s Switching Model Only Using Statically Measured Characteristics

著者名: 栃木 大樹(筑波大学),高嶋 薫(筑波大学),磯部 高範(筑波大学),萬年 智介(筑波大学),只野 博(名古屋大学)

著者名(英語): Daiki Tochigi(University of Tsukuba),Takashima Kaoru(University of Tsukuba),Takanori Isobe(University of Tsukuba),Tomoyuki Mannen(University of Tsukuba),Hiroshi Tadano(Nagoya university)

キーワード: スイッチング損失|寄生容量|スイッチングモデル|損失推定|Switching loss|Parasitic capacitance|Switching model|Loss estimation

要約(日本語): MOSFETのドレイン電流は寄生容量とチャネル部に分流し、チャネル部に導通する電流とデバイス電圧を積算したものがスイッチング損失となる。本研究では寄生容量の影響を考慮した簡易的なスイッチングモデルを用いて実験的にターンオフ時のスイッチングメカニズムを明らかにした。また、チャネル内部を導通する電流をデータシート及び実験条件から簡易的に求める手法を提案し、その有用性について検討を行った。

要約(英語): The switching mechanism at turn-off was clarified experimentally by using a simple switching model considering the influence of parasitic capacitance in this paper. In addition, the paper proposed a simple method for obtaining the channel current from only the data sheet and experimental conditions, and verified the proposed method’s utility.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,283 Kバイト