SiC MOSFETのディジタルアクティブゲートドライブにおけるゲート電圧波形に関する一検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC20003,MD20003

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2020/01/24

タイトル(英語): A Study on Gate votage Waveforms of SiC MOSFET in Digital Active Gate Driving

著者名: 高山 創(京都大学),奥田 貴史(京都大学),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Hajime Takayama(Kyoto University),Takafumi Okuda(Kyoto University),Takashi Hikihara(Kyoto University)

キーワード: アクティブゲートドライブ|ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|ミラー効果|リンギング|サージ電圧|高速スイッチング|Active gate drive|SiC MOSFET|Miller effect|Ringing|Surge voltage|High speed switching

要約(日本語): 本研究では, パワーデバイスをディジタル信号により駆動するディジタルアクティブゲートドライバを検討している. 入力信号を逐次D/A変換することで目標とするゲート電圧波形を指定し, スイッチング特性の改善を図る. 本報告では, 抵抗負荷のスイッチングにおけるSiC MOSFETのサージ電圧を抑制できることを実験により示し, 有効なゲート電圧波形について検討する.

要約(英語): SiC MOSFET shows superior characteristics to Si devices. It opens the way to achieve integrated power circuit with higher power density. However, it cannot avoid large surge voltages and ringings at high speed switching. Active gate drive is expected to improve its switching characteristics. In this study, a digital active gate driver is investigated. The proposed driver can shape the gate-source voltage waveform by the digital gate drive signal, considering device characteristics such as Miller effect._x000D_ This paper confirms the effective shaping of gate-source voltage waveform for suppressing surge voltage.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,284 Kバイト