デバイスモデルを用いた6.5 kV耐圧SiC-MOSFETモジュールの並列駆動動作に関する検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC20048,MD20048

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2020/01/24

タイトル(英語): A study of parallel operation of 6.5 kV SiC-MOSFET modules using a compact device model

著者名: 牛島 和樹(東京工業大学),滕 飛(東京工業大学),葛本 昌樹(東京工業大学),萩原 誠(東京工業大学),石井 佑季(三菱電機),中嶋 純一(三菱電機),堀口 剛司(三菱電機),椋木 康滋(三菱電機),地道 拓志(三菱電機)

著者名(英語): Kazuki Ushijima(Tokyo Institute of Technology),Teng Fei (Tokyo Institute of Technology),Masaki Kuzumoto(Tokyo Institute of Technology),Makoto Hagiwara(Tokyo Institute of Technology),Yuki Ishii(Mitsubishi Electric Corporation),Jun-ichi Nakashima(Mitsubishi Electric Corporation),Takeshi Horiguchi(Mitsubishi Electric Corporation),Yasushige Mukunoki(Mitsubishi Electric Corporation),Takushi Jimichi(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: ＨＶＤＣ|ＭＭＣ|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|ブスバー配線|デバイスモデル|ゲートドライバ|HVDC|MMC|SiC-MOSFET|busbar|compact device model|gate driver

要約(日本語): 本稿では、6.5 ｋV耐圧SiC-MOSFETの並列駆動動作について検討した。6.5 kV SiC-MOSFETモジュールのデバイスモデルと、電磁界解析により導出したブスバー配線の等価回路とを用いて2並列駆動動作の回路解析を実施した。その結果、モジュール間ドレイン電流アンバランスが最大誤差9.4 %と精度良く解析された。また、モジュール間に生じるゲート発振現象のメカニズムについて解析モデルを用いた検討を実施した。

要約(英語): This paper describes parallel operation using compact model for 6.5kV SiC-MOSFETs. The simulated results of the drain current unbalance between two SiC-MOSFET modules show good agreement with experimental ones with maximum error of 9.4%. Additionally, the mechanism of gate oscillation between the two modules is discussed using the model.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,163 Kバイト