GaN-HEMTを適用したQuasi-Zソースインバータの負荷短絡事故保護を想定したインピーダンスソースの設計

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC20111,MD20084

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2020/09/03

タイトル(英語): Impedance Source Design for Load Short-circuit Fault Protection of GaN-HEMT Quasi-Z-source Inverter

著者名: 中山 太智(筑波大学),萬年 智介(筑波大学),中島 昭(筑波大学),磯部 高範(筑波大学)

著者名(英語): Taichi Nakayama(University of Tsukuba),Tomoyuki Mannen(University of Tsukuba),Akira Nakajima(University of Tsukuba),Takanori Isobe(University of Tsukuba)

キーワード: ＧａＮ－ＨＥＭＴ|インピーダンスソース|負荷短絡|Ｚソースインバータ|GaN-HEMT|Impedance-source|Load short-circuit|Z-source inverter

要約(日本語): 本稿では、Quasi-Zソースインバータ（qZSI）の負荷短絡時の電流抑制が可能という特長を活用し、GaN-HEMTのような短絡耐量に問題を抱えたデバイスの適用範囲拡大を狙う。qZSIに負荷短絡が生じても、通常の昇圧動作に使用するレグ貫通動作と同様となるため、負荷短絡時の短絡電流が抑制可能である。本稿では、qZSIの通常動作に加えて、負荷短絡時のピーク電流を考慮したインピーダンスソースの設計指針を示し、実験により検証する。

要約(英語): This paper applies GaN-HEMTs to quasi-Z-source inverters (qZSIs). The qZSIs can cover the poor short-circuit capability of GaN-HEMTs, taking advantage of its shoot-through operation. Based on the feature of qZSIs, this paper discusses impedance source design of qZSI considering short-circuit faults. The experiments verify the short-circuit capability of the qZSI.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 701 Kバイト