直流400-V系統への適用を目的としたSiC-JFETを並列接続した半導体遮断器の電流分担

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC20235,HCA20085,VT20090

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 家電・民生/【D】産業応用部門 自動車合同研究会

発行日: 2020/12/11

タイトル(英語): Current sharing in solid-state circuit breakers with parallel-connected SiC-JFETs for 400-V DC systems

著者名: 髙森 太郎(東京都立大学),和田 圭二(東京都立大学),齋藤 渉(九州大学),西澤 伸一(九州大学)

著者名(英語): Taro Takamori(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University),Wataru Saito(Kyushu University),Shin-ichi Nishizawa(Kyushu University)

キーワード: ４００－Ｖ直流系統|直流遮断器|ＳｉＣ－ＪＦＥＴ|ゲート駆動回路|並列接続|400-V DC systems|DC circuit breaker|gate drive circuit|parallel-connection|SiC-JFET

要約(日本語): 近年，従来の機械式遮断器に替わり，長期信頼性に優れた半導体遮断器が検討されている。とりわけ車載品においては，パワーデバイスの並列接続による電流容量定格の強化，定常損失の低減が不可欠である。しかし，電流遮断時におけるデバイス間電流分担は，個々のデバイスの絶縁破壊電圧差に依存する。本稿では，提案するゲートドライバを用いて1.2-kV耐圧SiC-JFETの並列接続時における電流分担を直流400-Vの実機実験において検証する。

要約(英語): This paper presents a gate drive circuit for the current balancing of parallel-connected SiC-JFETs. The gate drive circuit can achieve the current balance equalization of parallel-connected SiC-JFETs under avalanche mode. The validity of the proposed gate drive circuit is verified by the experiment that uses 1.2-kV SiC-JFETs in a 400-V system. Furthermore, repetitive current break tests are conducted, and the effect of repeated use of proposed method on the long-term reliability of the circuit breaker is verified based on the evaluation of the characteristic degradation.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,239 Kバイト