高感度ひずみセンサ用Cr-N薄膜の横感度利用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: TER20050,MSS20006

グループ名: 【D】産業応用部門 交通・電気鉄道/【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム合同研究会

発行日: 2020/03/02

タイトル(英語): Use of Transverse Sensitivity on Cr-N Thin Films for High Sensitive Strain Sensors

著者名: 丹羽 英二(電磁材料研究所)

著者名(英語): Eiji Niwa(Research institute for electromagnetic materials)

キーワード: ひずみセンサ|Ｃｒ－Ｎ薄膜|横感度|ダイアフラム|周方向|力センサ|strain sensor|Cr-N thin film|transverse sensitivity|diaphragm|circumferential direction |force sensor

要約(日本語): 高感度なひずみセンサ用Cr-N薄膜は横感度も大きいことから、二次元応力場での使用には注意が必要である。本研究では、同符号の応力からなる二次元応力場ではひずみが重畳してより大きな出力が得られること、および、その一例として、ダイアフラムにおけるCr-N薄膜の周方向配置が有効であることを示す。

要約(英語): Cr-N thin films for high sensitive strain sensors on two-dimensional stress field must be used carefully because of its large transverse sensitivity. In this study, it has been shown that the large output was obtained by superposition of the same sign strains in the two-dimensional stress field and, as an example, the arrangement of circumferential direction of the films on a diaphragm was effective.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,157 Kバイト