SiCパワーデバイスを用いた高性能変換器の基礎検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: VT14004

グループ名: 【D】産業応用部門 自動車研究会

発行日: 2014/02/20

タイトル(英語): Feasibility study of high-performance converter using SiC power device

著者名: 佐藤 伸二(FUPET,サンケン電気),谷澤 秀和(FUPET,サンケン電気),高橋 弘樹(FUPET,富士電機),安在 岳士(FUPET,カルソニックカンセイ),樋山 浩平(FUPET,東芝),田島 豊(FUPET,日産自動車),村上 善則(FUPET,日産自動車),佐藤 弘(FUPET,産業技術総合研究所)

著者名(英語): Sato Shinji(FUPET,Sanken Electric Co.,Ltd.),Tanisawa Hidekazu(FUPET,Sanken Electric Co.,Ltd.),Takahashi Hiroki(FUPET,Fuji Electric Co.,Ltd.),Anzai Takeshi(FUPET,Calsonickansei Corporation),Hiyama Kohei(FUPET,Toshiba Corporation),Tajima Yutaka(FUPET,Nissan Motor Co.,Ltd.),Murakami Yoshinori(FUPET,Nissan Motor Co.,Ltd.),Sato Hiroshi(FUPET,National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: ＳｉＣパワーデバイス|電力変換器|高性能|スイッチング|高温|SiC power device|Power converter|High performance|Switching|High temperature

要約(日本語): SiCやGaNなどのワイドギャップ半導体を使用したパワーデバイスが注目されている。これを用いた電力変換器は、低損失、高周波動作、高温動作が可能になり、これらを利用して高効率、高性能、小型軽量などの付加価値が期待される。本論文では、これらの特徴を活かした変換器の設計方法と、試作した変換器による性能評価を議論する。

要約(英語): SiC power devices can be operated in the higher temperature than Si power devices. And also, it can achieve the high-speed switching operation with lower switching losses, so that the high frequency switching can be realized. In this paper, we discuss the design of high performance power converter using SiC power devices.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 707 Kバイト