単一電子トランジスタのゲート変調

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-050

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): Gate Modulation of SET transistor

著者名: 岩佐 章夫(電子技術総合研究所),福島 章雄(電子技術総合研究所),佐藤 昭(電子技術総合研究所),坂本 泰彦(電子技術総合研究所),遠藤 忠(電子技術総合研究所)

著者名(英語): Akio Iwasa(Electrotechnical Laboratory),Akio Fukushima(Electrotechnical Laboratory),Akira Sato(Electrotechnical Laboratory),Yasuhiko Sakamoto(Electrotechnical Laboratory),Tadashi Endo(Electrotechnical Laboratory)

キーワード: 単一電子トンネル現象|単一電子トランジスタ|電流標準|クーロンブロッケード

要約(日本語): 電流標準を単一電子トンネル現象を利用して実現するにあたり、基本となる素子は、２接合１ゲートの単一電子トランジスタである。単一電子トランジスタはエレクトロメータとして用いられ、接合やゲートを増やすことで、ターンスタイル、ポンプといった電流生成素子に発展する。クーロンブロッケード、電流のゲート変調から、我々が作成したSETトランジスタ素子が動作していることを確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 172 Kバイト