TMS蒸気中の電子輸送係数測定

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-078

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): Measurement of Electron Transport Coefficients in Tetramethylsilane

著者名: 森 悟志(北見工業大学),吉田 公策(北見工業大学)

著者名(英語): Satoshi Mori(Kitami Institute of Technology),Kosaku Yoshida(Kitami Institute of Technology)

キーワード: 電子輸送係数|テトラメチルシラン|電離係数|電子ドリフト速度|TMS

要約(日本語): プラズマCVDやプラズマ重合分野で用いられるTMS(tetramethylsilane)蒸気中の電子輸送係数（電離係数、電子ドリフト速度など）を二重シャッタードリフト装置を用いて初めて測定した。測定範囲はE/N＝400?2400Tdである。代表的なSiソースであるSiH₄の結果と比較したところ、電離係数はSiH₄のそれにかなり近い値であり、電子ドリフト速度は若干低い値であることが明らかになった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 64 Kバイト