SiH4中、RF放電による微粒子生成過程のシミュレーション

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-095

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): Simulation of particle growth processes in SiH₄ RF discharge.

著者名: 佐藤信安 (岩手大学),志田 寛(岩手大学)

著者名(英語): Nobuyasu Sato(Iwate University),Yutaka Shida(Iwate University)

キーワード: シラン|高周波放電|微粒子成長|シミュレーション

要約(日本語): SiH₄中、RF放電構造を二次元流体モデルをもちいてシミュレーションを行い、微粒子形成のもととなるSiH₂ラジカルの発生率および密度分布を求め、この結果をもちいてSi原子を多数含むクラスターまたは微粒子の成長過程をレート方程式を用いて計算している。この結果、Si原子数が多くなると成長開始時間が遅くなること、最大密度が低くなること、一方成長速度はあまり変わらないことがわかり、さらに、SiH₂の密度分布を反映して電極間で非対称な密度分

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 65 Kバイト