商品情報にスキップ
1 1

プラズマスパッタリングにおけるターゲット温度変化に関する研究

プラズマスパッタリングにおけるターゲット温度変化に関する研究

通常価格 ¥440 JPY
通常価格 セール価格 ¥440 JPY
セール 売り切れ
税込

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-253

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): Study on target temperature change in plasma sputtering

著者名: 芹田 卓也(武蔵工業大学),蒲池 和徳(武蔵工業大学),小野 茂(武蔵工業大学),堤井信力 (武蔵工業大学)

著者名(英語): Takuya Serita(Musashi Institute of Technology),Kazunori Kamachi(Musashi Institute of Technology),Shigeru Ono(Musashi Institute of Technology),Shinriki Teii(Musashi Institute of Technology)

キーワード: ターゲット温度|スパッタリング|ICP|Ar

要約(日本語): プラズマスパッタリングによる固体表面の改質が試みられている。ターゲット温度の変化により改質の結果に大きな影響があることが実験的に確かめられているが、低気圧放電プラズマ中で負にバイアスされた固体平板の温度変化の機構は十分解明されていない。本稿ではスパッタリングにおけるターゲット温度の変化について理論的に検討した。また実際にスパッタリングを行ってその時の温度変化を調べ、それらを比較し温度変化のメカニズムについて検討を行った。実験ではICPを用いてスパッタリングを行った結果、ターゲット温度の上昇が見られた。また理論的な考察を行った結果、温度上昇はイオン衝突によるエネルギー供給の影響が大きいことがわかった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 58 Kバイト

販売タイプ
書籍サイズ
ページ数
詳細を表示する