反応性RFスパッタ酸化タンタル薄膜の誘電分散

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-031

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): Dielectric Dispersion of Tantalum Oxide Films prepared by RF Sputtering

著者名: 川俣 常雄(信州大学),伊東 栄次(信州大学),宮入 圭一(信州大学)

著者名(英語): Tsuneo Kawamata(Shinshu University),Eiji Ito(Shinshu University),Keiiti Miyairi(Shinshu University)

キーワード: 薄膜|誘電分散|酸化薄膜|界面分極|スパッタリング

要約(日本語): 高絶縁材料である酸化タンタルは本来無極性の絶縁体であるが、反応性RFスパッタ法により基板温度R.Tで成膜したAl電極の酸化タンタル薄膜は130℃以上になると低周波領域で分極を生ずるという特性が見られた。これは酸化タンタル膜とAl電極との界面に形成されたAl酸化層が酸化タンタル層と二層誘電体をつくり、界面分極を生じているためであると考えられた。本研究では電極酸化膜の影響がないAu電極を用いた試料で測定した。その結果Al電極の試料と同様に130℃以上の低周波領域で分極現象が見られた。そこで本研究ではAu電極の酸化タンタル薄膜の電気的特性を測定し、Au電極酸化タンタル薄膜の分極現象発生メカニズムを検討した。

原稿種別: 日本語

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