不平等電界下におけるポリイミドＬＢ超薄膜の耐電界特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-094

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): Electrostatic properties of ultra-thin polyimide Langmuir-Blodgett films under non-uniform electric field

著者名: 福澤 雅弘(九州産業大学),寶満 竜太(九州産業大学),山下 宏(九州産業大学),岩本 光正(東京工業大学)

著者名(英語): Masahiro Fukuzawa(Kyuusyuu Sanngyou University),Ryuuta Houmann(Kyuusyuu Sanngyou University),Hirosi Yamasita(Kyuusyuu Sanngyou University),mitumasa Iwamoto(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: ポリイミド|LB膜|絶縁材料|絶縁破壊

要約(日本語): 　金属?絶縁体界面での静電気現象は電気、電子工学の分野において大変興味深いものである。そこで本研究では、針?平板電極（Al、Au、Ag）系において熱処理を施した、ポリイミドＬＢ膜を作製し試料とした。試料に直流電圧を破壊するまで印加し、表面電位の測定を行った。また、温度依存性の測定も行った。そして、この測定結果をもとにポリイミドＬＢ膜における絶縁破壊現象の主因は、ポリイミドＬＢ膜作製時に電極界面近傍に蓄積される電荷であると考察した

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 68 Kバイト