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2種類の基板上に作製したバナジルフタロシアニン薄膜の平均滞留時間と脱離エネルギー

2種類の基板上に作製したバナジルフタロシアニン薄膜の平均滞留時間と脱離エネルギー

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-097

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): Desorption Energy and Mean Residence Time of VOPc Thin Film Prepared on Two Kind of Substrates

著者名: 中野 寛之(愛知工業大学),前田 昭徳(愛知工業大学),古橋 秀夫(愛知工業大学),吉川 俊夫(愛知工業大学),大橋 朝夫(愛知工業大学),小嶋 憲三(愛知工業大学),内田 悦行(愛知工業大学),落合 鎮康(愛知工業大学)

著者名(英語): Hiroyuki,Nakano|Akinori,Maeda|Hideo,Furuhashi|Toshio,Yoshikawa|Asao,Ohashi|Kenzo,Kojima|Yoshiyuki,Uchida|Shizuyasu,Ochiai

キーワード: バナジルフタロシアニン薄膜|平均滞留時間|脱離エネルギー|ポリエチレンテレフタレート基板|KBr基板

要約(日本語):  KBr基板上に作製されたバナジルフタロシアニン(VOPc)薄膜がアニールにより,擬似エピタキシーからエピタキシー成長へ転移する.一方、ポリエチレンテレフタレート(PET)基板上に作製されたVOPc薄膜がアニールにより相?から相?へ転移する.基板により、転移の振る舞いが異なることについて,平均滞留時間と脱離エネルギーにより検討した.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 51 Kバイト

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