ゾル-ゲル法によるSiO2-PVPハイブリッド薄膜の電気的特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-122

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): Electrical Properties of SiO₂-PVP Hybrid Thin Film by Sol-Gel Method

著者名: 毛利 大輔(秋田大学),張守斌 (秋田大学),田口 春男(TDK),吉村 昇(秋田大学)

著者名(英語): Daisuke Mouri(Akita University),Shoubin Zhang(Akita University),Haruo Taguchi(Akita University),Noboru Yoshimura(Akita University)

キーワード: ゾル-ゲル法|二酸化珪素|ポリビニルピロリドン|ハイブリッド薄膜|熱処理|電気的特性

要約(日本語): 近年、液相低温合成法であるゾル-ゲル法による無機･有機ハイブリッド材料の研究が行われている。無機･有機ハイブリッド材料は、無機材料と有機材料それぞれの欠点を補い、長所を兼ね備えた材料の可能性が期待されている。そこで、SiO₂-PVPハイブリッド薄膜をゾル-ゲル法により作製し、電気的特性を測定した。SiO₂:PVP=40:60wt%のとき、膜厚が約2μmの均一な薄膜が作製でき、FT-IRの結果からSiO₂とPVP両方の特徴がみられた。また、熱処理により誘電率が変化することが分かった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 65 Kバイト