ＰＶＫのＵＶ光劣化に伴う電子状態の変化

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-123

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): Change of Electronic States of PVK with UV degradation

著者名: 川本 昂(福井工業高等専門学校),鈴置 保雄(名古屋大学),水谷 照吉(名古屋大学)

著者名(英語): Akira Kawamoto(Fukui National College of Technology),Yasuo Suzuoki(Nagoya University),Teruyoshi Mizutani(Nagoya University)

キーワード: フェルミレベル|仕事関数|ＸＰＳ|ＵＶ照射|ケルビン法|電子状態

要約(日本語): 絶縁性高分子は、色素ドープ型高分子負性抵抗素子、有機ＥＬ素子など電子デバイスのマトリクスとして広く使用されており、ＵＶ光照射やジュール熱によって劣化し、表面の電子状態が影響を受ける。今回は、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）のフェルミ準位がＵＶ光の照射に伴って上昇する原因についてＸＰＳを用いて検討した。その結果、ＰＶＫの分子鎖の切断に伴うＣ＝Ｏ基、Ｃ?Ｏ基などの生成に伴う電子トラップ準位の形成がフェルミ準位の上昇の原因である可能性が示唆された。また、ＵＶ光の照射によってＰＶＫの価電子帯の状態密度が増大する傾向を示すことが明らかとなった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 69 Kバイト