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高周波マグネトロンスパッタリング法における微結晶シリコン薄膜の作成

高周波マグネトロンスパッタリング法における微結晶シリコン薄膜の作成

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-136

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): Preparation of μc-Si:H thin films by RF magnetron sputtering

著者名: 川村 智樹(名古屋大学),牧原 弘和(名古屋大学),田畑 彰守(名古屋大学),鈴置 保雄(名古屋大学),水谷 照吉(名古屋大学)

著者名(英語): Tomoki Kawamura(Nagoya University),Hirokazu Makihara(Nagoya University),Akimori Tabata(Nagoya University),Yasuo Suzuoki(Nagoya University),Teruyoshi Mizutani(Nagoya University)

キーワード: 高周波マグネトロンスパッタリング|微結晶Si|発光スペクトル|X線回折

要約(日本語): 我々は高周波マグネトロンスパッタリング法によりアルゴン・水素混合ガスを用いて、微結晶シリコン薄膜の作成を行った。また、成膜時のプラズマの発光スペクトルの測定および作成した膜の膜構造のX線回折測定等を用いた評価を行った。 プラズマ中の水素原子発光(波長655 nm)強度は全ガス圧が25 Paおいては水素分圧比が約30%で最大となった。また、薄膜中の微結晶の平均粒径も水素分圧比が約30 %で最大となった。微結晶の平均粒径は水素原子発光強度と正の相関を示すことがわかった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 107 Kバイト

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