斜めスパッタ下地層を用いたCo-Sm-Oグラニュラー膜のトンネル型磁気抵抗効果

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-181

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): Tunneling Magnetoresistance Effect of Co-Sm-O granular films Using Oblique Sputtering Underlayers

著者名: 山内 慎也(豊橋技術科学大学),井上 光輝(豊橋技術科学大学),藤井 壽崇(豊橋技術科学大学),篠浦 治(TDK)

著者名(英語): Shinya Yamauchi(Toyohashi University of Technology),Mitsuteru Inoue(Toyohashi University of Technology),Toshitaka Fujii(Toyohashi University of Technology),Osamu Shinoura(TDK Corp.)

キーワード: トンネル型磁気抵抗効果|Co-Sm-Oグラニュラー膜|斜めスパッタ

要約(日本語): 斜めスパッタ法により作製した軟磁性薄膜上にCo-Sm-Oグラニュラー膜を成膜し、複合膜の作製を行った。その結果、グラニュラー膜単層の場合のMR比は12kOeの磁界を印加した時最大6.6％程度であった。一方、複合膜においては25Oeの磁界を印加した時最大3.0％となった。以上２つの結果より複合膜では単層膜に比べて200倍程度の磁界感度の改善がはかれた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 69 Kバイト