高異方性エッチングで作製したシリコンシャドウマスクによる三次元構造へのパターニングと精度の評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-156

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): Patterning to the 3D structure by Si Shadow Mask made with highly anisotropic etching and chracterization of its accuracy

著者名: 大島 聡(東京大学),三田 吉郎(東京大学),Agnes Tixier(LIMMS,CNRS-IIS),Jean-Phillippe Gouy (LIMMS,CNRS-IIS),藤田 博之(東京大学)

著者名(英語): Satoshi Oshima(The University of Tokyo ),Yoshio Mita(The University of Tokyo ),Agnes Tixier(LIMMS,CNRS-IIS),Jean-Phillippe Gouy(LIMMS,CNRS-IIS),Hiroyuki Fujita(The University of Tokyo )

キーワード: シャドウマスク|マイクロコネクタ|ICP-RIE|高異方性エッチング|蒸着|パターニング精度

要約(日本語): 脆弱な構造やすでにチップになっている構造など、リソを望まない構造、一番最後にパターニングを望むプロセスなどの場合になにかパターニングをしたいという場合に、選択的にパターニングできるという手法がシャドウマスクを用いた方法である。本稿では従来のシャドウマスクを更に改良したシャドウマスクを提案、作製しパターニングしてその結果を示している。具体的には光システムのマイクロコネクタの配線をパターニングするという目的でCr、Auをシャドウマスクを用いて蒸着し、そのパターニングされた結果を設計値と比較してこの手法の精度と有効性を示した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 335 Kバイト