ナノ領域計測用Siツインプローブの製作

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-158

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): Si Twin Probes for Nano Scale Measurment

著者名: 角嶋 邦之(東京大学),三田 信(東京大学),橋口 原(香川大学),藤田 博之(東京大学)

著者名(英語): Kuniyuki Kakushima(IIS,The University of Tokyo),Makoto Mita(IIS,The University of Tokyo),Gen Hashiguchi(Kagawa University),Hiroyuki Fujita(IIS,The University of Tokyo)

キーワード: ナノワイヤ?|シリコン|熱駆動アクチュエータ

要約(日本語): ナノ領域計測用の２本の近接したプローブ（ツインプローブ）を製作した。プローブはSiの結晶面を利用したナノワイヤ?技術によって形成され、プローブ間の距離は500nm以下である。プローブの断面は２つの<111>と<100>に囲まれた、高さ200nm、底辺280nmの三角形をしている。またツインプローブはCrとのシリサイドによって伝導度を改善した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 154 Kバイト