高濃度ドープシリコンの赤外吸収特性とマイクロボロメータへの適用

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-185

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): Infrared Absorption of Highly Doped Silicon and Application to the Micro Bolometer

著者名: 原 仁(横河電機),岸 直輝(横河電機)

著者名(英語): Hitoshi Hara(Yokogawa Electric Corporation),Naoki Kishi(Yokogawa Electric Corporation)

キーワード: 高濃度ドープシリコン|赤外吸収|マイクロボロメータ

要約(日本語): シリコン中の不純物の自由キャリアによる赤外吸収がボロメータの吸収材として利用できるかを検証するため、目標とする赤外吸収のピーク波長4.25μmに対し最適な不純物濃度を設計し、両面研磨ウエハを用いて赤外吸収特性を評価した。不純物濃度が約1×10²⁰/cm³で4.25μmに吸収のピークをもち、拡散長1μmの際には 500Kの黒体放射に対し、25.6%吸収することが確認された。この特性を利用して、ボロメータの構成要素である吸収体、測温抵抗体が単結晶シリコンのみで構成された非冷却型マイクロボロメータを開発し、比検出能D*(500K,10Hz,1Hz)＝1.1×10⁸[cmHz^1/2/W]の高感度特性を得た。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 72 Kバイト