ＭＯＳＦＥＴ型トランジスタサーミスタの提案

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-186

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): Proposal of MOSFET Type Transistor-Thermistor

著者名: 後藤 靖(東北学院大学),木村 光照(東北学院大学)

著者名(英語): Yasusi Gotoh(Tohoku-Gakuin University),Mitsuteru Kimura(Tohoku-Gakuin University)

キーワード: センサ|トランジスタ|ＭＯＳＦＥＴ|温度センサ|サーミスタ|半導体デバイス

要約(日本語): これまで、コレクタ電圧 が一定にしたときのバイポーラトランジスタのコレクタ抵抗をサーミスタとして扱うことができること、エミッタ・ベース間電圧の調整でサーミスタ定数であるＢ定数を調整できることを提案して、安定なサーミスタが得られることを実証してきた。本研究は、ＭＯＳＦＥＴのサブスレショルド領域を使用すると バイポーラトランジスタと同様に扱えることを利用し、ＭＯＳＦＥＴもドレイン電圧一定の下で、ドレイン抵抗がサーミスタとして扱えることを提案すると共に、実証した。ＭＯＳＦＥＴ型の場合、ゲート電圧で 可変Ｂ定数となること、Ｂ定数が大きいのにサーミスタ抵抗が小さくできること、半導体表面のみ使用するので、赤外線センサなどに好適であることなどの特徴があることが判明した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 69 Kバイト