6.2kV 4H-SiC pn ダイオード

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-154

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): 6.2kV 4H-SiC pn Diodes

著者名: 菅原 良孝(関西電力),高山 大輔(関西電力),林 利彦(関西電力),浅野 勝則(関西電力)

著者名(英語): Yoshitaka Sugawara|Daisuke Takayama|Toshihiko Hayashi|Katsunori Asano|Ranbir Singh|John Palmour

キーワード: SiC|pnダイオード|メサJTE|高耐圧|逆回復時間

要約(日本語): 高耐圧SiC-pnダイオードを設計・試作した。試作したダイオードは、静特性では6.2kVというSiCにおける世界最高耐圧、4.7V (at 100A/cm²)の低いオン電圧を実現した。動特性では28.5nsの短い逆回復時間を実現し、さらに、550Kでも逆回復時間が63nsの高速なリカバリー特性を持つことを明らかにした。試作した6.2kVSiC-pnダイオードは、Si-pnダイオードの耐圧とオン電圧のトレードオフを超えることに成功した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 191 Kバイト