３．６ｋＶ　４Ｈ-ＳｉＣ高速ＪＢＳダイオード

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-155

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): 3.6kV 4H-SiC High Speed JBS Diode

著者名: 浅野勝則 (関西電力),林利彦 (関西電力),齋藤隆一 (日立製作所),菅原良孝 (関西電力)

著者名(英語): ｶﾂﾉﾘ (Kansai Electric Power Co.),ﾄｼﾋｺ (Kansai Electric Power Co.),ﾘｭｳｲﾁ (Hitachi,Ltd.),ﾖｼﾀｶ (Kansai Electric Power Co.)

キーワード: SiC|ＪＢＳダイオード

要約(日本語): 次世代の半導体材料であるＳｉＣを用いて，ＪＢＳダイオードを試作した．耐圧は３．６ｋＶとＪＢＳダイオードとしては最高の耐圧を達成した．また，逆回復時間は１１ｎｓと非常に高速にできた．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 178 Kバイト