3.6kV4H-SiC高速JBSダイオードの動特性の温度依存性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-156

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): Temperature Dependence of Dynamic Characteristics of 4H-SiC High Speed JBS Diode

著者名: 林 利彦(関西電力),浅野 勝則(関西電力),齋藤 隆一(日立製作所),菅原 良孝(関西電力)

著者名(英語): Toshihiko,Hayashi|Katsunori,Asano|Ryuichi,Saitou|Yoshitaka,Sugawara

キーワード: 炭化ケイ素|JBS|ダイオード|動特性|温度依存性

要約(日本語): 　現在、SiCデバイスはSiCの持つ優れた物性から、高耐圧、低損失、高速動作等の可能性が非常に期待されている。また、SiC素子は高温動作が期待できるため、高温時の動特性を知ることも必要であり、また重要である。　これより、我々は、試作した4H-SiC高速JBSダイオードを用い、動特性（逆回復特性）の温度依存性について測定を行った。　この結果、JBSダイオードにおいては逆回復特性の温度依存性はあまり見られなかった。また、他のSi高速ダイオードに比べ、JBSダイオードは逆回復特性が良好であった。さらにこの傾向は素子温度の上昇に伴い顕著に現れることがわかった。　以上より4H-SiC高速JBSダイオードの高温での動特性が非常に良好であることがわかった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 192 Kバイト