トレンチMOSゲート構造へのCVDゲート酸化膜の有効性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-157

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): Advantages of CVD Gate Oxide for Trench MOS Gate Structures

著者名: 中村 勝光(三菱電機),楠 茂(三菱電機),中村 秀城(三菱電機),原田 眞名(三菱電機)

著者名(英語): Katsumi Nakamura(Mitsubishi Electric Corporation),Shigeru Kusunoki(Mitsubishi Electric Corporation),Hideki Nakamura(Mitsubishi Electric Corporation),Masana Harada(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: トレンチMOSゲート構造|CVDゲート酸化膜|窒化酸化膜|Time-Zero絶縁破壊特性|定電流TDDB特性

要約(日本語): トレンチMOSゲート構造におけるゲート酸化膜として、CVDゲート酸化膜が有効なゲート酸化膜であることを明らかにした。トレンチMOSゲート構造では、トレンチ構造特有の幾何学的形状因子による膜厚,膜質均一性に優れたCVDゲート酸化膜(特に窒素を偏析させたゲート酸化膜)を用いることでゲート酸化膜特性(リーク特性,Time-Zero絶縁破壊特性),信頼性が大幅に向上し、MOSトランジスタ特性でも高い電流駆動能力を示す結果が得られた。トレンチMOSゲートパワーデバイスでは、特に大面積化した場合のゲート酸化膜信頼性確保の観点から、幾何学的形状因子を排除したCVDゲート酸化膜が有望なゲート絶縁膜である。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 362 Kバイト