第VI世代TSSOP-8外形デュアルタイプ2.5V駆動n-chパワーMOSFET

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-161

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): 6th-Generation Trench Gate TSSOP-8 Outline Dual Type 2.5V Drive n-ch Power MOSFET

著者名: 楢崎 敦司(菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング),瓜生 勝美(福菱セミコンエンジニアリング),浜地 浩秋(福菱セミコンエンジニアリング),岩田 信幸(三菱電機)

著者名(英語): Narazaki Atsushi(Ryouden Semiconductor System Engineering Corp.),Uryuu Katsumi(Fukuryo Semiconductor Engineering Corp.),Hamachi Hiroaki(Fukuryo Semiconductor Engineering Corp.),Iwata Nobuyuki(Mitsubishi Electric Corp.)

キーワード: パワーMOSFET|トレンチゲート

要約(日本語): ノートパソコンなどの携帯機器の市場の中で、パワーMOSFETは電源部分のDC/DCコンバータやパワーマネージメント、リチウムイオン電池の保護回路に使用されている。使用されているパワーMOSFETは電池の長寿命化に伴い、省消費電力を目的として、低オン抵抗化が要求されている。 今回、プロセスデザインルールの微細化とユニットセルサイズの最適化により、当社5世代MOSFETに対して、単位面積当たりのオン抵抗(Ron×A)にて25％の低減を達成したので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 54 Kバイト