P-MOSFETを用いた大電流低損失スイッチの作製

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-171

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): Fablication of a Prototype of a High Current Low Loss Switch Made With P-MOSFET

著者名: 塩山 雅紀(東京工業大学),松川 達哉(東京工業大学),島田 勝弘(東京工業大学),嶋田 隆一(東京工業大学)

著者名(英語): Masanori Shioyama(Tokyo Institute of Technorogy),Tatsuya Matsukawa(Tokyo Institute of Technorogy),Masahiro Shimada(Tokyo Institute of Technorogy),Ryuichi Shimada(Tokyo Institute of Technorogy)

キーワード: 大電流|低オン抵抗|低損失|スイッチ|低温|P-MOSFET

要約(日本語): 核融合実験装置のひとつであるスフェリカルトーラス装置の磁場発生用コイルを励磁する直流電源は低電圧大電流(20V,20MA)であることが特徴である。大容量電源(400MW)を実現するに際して、従来はサイリスタ・ダイオード整流器で整流する方法が主流であった。しかしその場合変換器損失が大きく、変換器自体が大型化することなどが問題となっていた。そこで、サイリスタ・ダイオードに替わり、オン時低抵抗、電圧ゲート信号などの特徴を持つMOSFETで整流器を構成することが有効であると考えられる。ここでは、まず室温に比べオン抵抗が減少する低温領域でのMOSFETの特徴を調べ、低損失整流器へのステップとして、MOSFETを並列接続したコンパクトで大電流をスイッチできるモジュールを作製することを目的とする。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 99 Kバイト