マグネシウム珪化物熱電半導体における焼結条件およびドーピング濃度の最適化

カテゴリ: 全国大会

論文No: 7-186

グループ名: 【全国大会】平成12年電気学会全国大会論文集

発行日: 2000/03/21

タイトル(英語): Optimization of the sintering condition and also doping density in the magnesium silicide thermoelectric semiconductor

著者名: 杉山 智彦(湘南工科大学),白石 健太郎(湘南工科大学),梶川 武信(湘南工科大学),杉原 淳(湘南工科大学),大森 守(東北大学金属材料研究所),平井 敏雄(東北大学金属材料研究所)

著者名(英語): Tomohiko Sugiyama(Shonan Institute of Technology),Kentaro Shiraishi(Shonan Institute of Technology),Takenobu Kajikawa(Shonan Institute of Technology),Atsushi Sugihara(Shonan Institute of Technology),Mamoru Oomori(Tohoku University metallic material research institute),Toshio Hirai(Tohoku University metallic material research institute)

キーワード: マグネシウム珪化物|熱電半導体|プラズマ放電焼結|ドーピング

要約(日本語): 　プラズマ放電焼結によるマグネシウム珪化物において、焼結温度およびドーピング濃度を変化させ、素子作製の熱電性能における最適化を図る。　マグネシウムは、酸化しやすいので、合成時間を短くとれる特徴を持つプラズマ放電焼結によって原料粉末を極力酸化させずに合成した。　さらに、ホットプレスによる焼結を行う際に焼結温度の最適化を行い熱電性能を明らかにした。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 186 Kバイト