電界電子放出現象における電子放出源の経時変化について
電界電子放出現象における電子放出源の経時変化について
カテゴリ: 全国大会
論文No: 1-111
グループ名: 【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集
発行日: 2001/03/21
タイトル(英語): The study of aging effect on the behavior of field emission sites
著者名: 高橋 英治(日新電機),緒方 潔(日新電機),小室 茂寛(武蔵工業大学),関野 真士(武蔵工業大学),曽禰元隆 (武蔵工業大学),光井 英雄(武蔵工業大学)
著者名(英語): Eiji Takahashi(Nissin Electric Co.,Ltd.),Kiyoshi Ogata(Nissin Electric Co.,Ltd.),Shigehiro Komuro(Musashi Institute of Technology),Masashi Sekino(Musashi Institute of Technology),Mototaka Sone(Musashi Institute of Technology),Hideo Mitsui(Musashi Institute of Technology)
キーワード: 電界電子放出|経時変化|蛍光膜アノード|マイクロチャンネルプレート
要約(日本語): 電界電子放出現象における電子放出源の経時変化について明らかにする為、蛍光膜付きMCPとCCDカメラを用いて観察を行った。このとき画像処理技術を用いて、電子放出源の陰極上での数とそれらの位置や各電子放出源からの電子放出数等の経時変化特性について検討を行った。さらに陰極には異なる2種類の表面処理を行い、電子放出源の経時変化に及ぼす表面状態の影響について考察を行った。その結果、一定電圧課電では、電子放出源数が課電時間とともに徐々に減少する様子が確認され、また表面状態によって電子放出源数の減少特性が
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 112 Kバイト
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