レーザアブレション法によるシリコンボライドの成膜-成膜基板による結晶性の比較-

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-178

グループ名: 【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集

発行日: 2001/03/21

タイトル(英語): Synthesis Techniqe of Silicon borides Films by Laser Abulation Methed-the comprison of the crystall structure by film substrate

著者名: 伊藤 正彦(日本大学),鈴木 薫(日本大学)

著者名(英語): Masahiko Itoh(College of Sience and Technorogy Nihon university),Kaoru Suzuki(College of Sience and Technorogy Nihon university)

キーワード: レーザｱﾌﾞﾚｰｼｮﾝ法|シリコンボライド

要約(日本語): 熱電材料は、廃熱利用による熱電発電や熱センサとしての利用など、今後多岐にわたる利用が期待されている材料で、その種類によって性能のピークを持つ温度領域が決まっている。我々は８００～１０００℃の中高温域でその性能を良く発揮するホウ素過剰シリコンボライド（以下シリコンボライド）について研究を行っている。シリコンボライドSiB4、SiB6などの複数の種類があり性能も違うが、我々はSiB6をターゲットとしレーザアブレション法によって単相のシリコンボライドの薄膜化を検討している。今回我々は更に高温領域での成膜をめざ

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 86 Kバイト