高密度プラズマを用いた有機系低誘電率層間絶縁膜のエッチングとそのプラズマ診断

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-228

グループ名: 【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集

発行日: 2001/03/21

タイトル(英語): Etching of Organic Low-k Film Employing High-Density Plasma and Its Diagnostics

著者名: 永井 久雄(名古屋大学),高島 成剛(名古屋大学),田中 俊幸(名古屋大学),平松 美根男(名城大学),堀 勝(名古屋大学),後藤 俊夫(名古屋大学)

著者名(英語): Hisao Nagai(Nagoya University),Seigou Takashima(Nagoya University),Toshiyuki Tanaka(Nagoya University),Mineo Hiramatsu(Meijo University),Masaru Hori(Nagoya University),Toshio Goto(Nagoya University)

キーワード: 高密度プラズマ|低誘電率層間絶縁膜|真空紫外吸収分光法

要約(日本語): 次世代ULSIの高速動作を実現するため、低抵抗配線材料と低誘電率(Low-k)層間絶縁膜の導入が必須の技術である。低抵抗配線材料としてはCuの使用が検討されている。一方、Low-k膜では、比誘電率に対応し様々な材料が候補に挙げられている。これらの材料の中で有機系Low-k膜であるFLAREは、密着性･耐熱性に優れ、比誘電率が2.8であることから注目を集めている。本研究では、有機系Low-k膜のエッチングに使用されるN₂/H₂プラズマを、真空紫外吸収分光法(VUV

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 217 Kバイト