C4F8およびC4F8-H2プラズマで生成された堆積膜の分析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-231

グループ名: 【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集

発行日: 2001/03/21

タイトル(英語): Analysis of the fluorocarbon films deposited in C₄F₈ and C₄F₈-H₂ plasmas

著者名: 高田 昇治(名古屋大学),柴垣 寛治(名古屋大学),飯田 剛史(名古屋大学),佐々木 浩一(名古屋大学),門田 清(名古屋大学),尾山 公一(名古屋大学)

著者名(英語): Noriharu Takada(Nagoya University),Kanji Shibagaki(Nagoya University),Tsuyoshi Iida(Nagoya University),kouichi Sasaki(Nagoya University),Kiyoshi Kadota(Nagoya University),Kin-ichi Oyama(Nagoya University)

キーワード: フルオロカーボンプラズマ|堆積膜|分析

要約(日本語): SiO₂等のドライエッチングプロセスに用いられるフルオロカーボンプラズマは、真空容器壁等に絶縁性の堆積膜を生成し、この膜の表面状態に依存したラジカルの生成・消滅がエッチング特性に影響を与えることが問題となっている．これまでに、気相のラジカル密度の空間分布測定より、CF₂およびCFラジカルは、壁から気相に向かって流出していることが明らかになっている．従って、表面生成物の含有元素や化学構造を明らかにし、表面反応のメカニズムを解明することは極めて重要である．本研究では

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 105 Kバイト