希釈ガス選択によるフルオロカーボンプラズマのラジカル組成の制御

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-235

グループ名: 【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集

発行日: 2001/03/21

タイトル(英語): Control of radical composition by selection of dilution gases in the fluorocarbon plasmas

著者名: 石島 達夫(名古屋大学),植竹 正樹(名古屋大学),池田 正巳(名古屋大学),菅井 秀郎(名古屋大学)

著者名(英語): Tatsuo Ishijima(Nagoya University),Masaki Uetake(Nagoya University),Masami Ikeda(Nagoya University),Hideo Sugai(Nagoya University)

キーワード: フルオロカーボンプラズマ|ラジカル制御|希釈ガス選択

要約(日本語): 　次世代のLSI製造においては高密度のフルオロカーボン(C₄F₈)プラズマを用い、誘電体材料の高速・高アスペクト比、高選択比エッチングが望まれている。しかし高密度・高エネルギーの電子は、原料ガスであるC₄F₈の解離を促進し大量のＦラジカルを生成するため選択比の低下をもたらし問題となっている。本発表では、酸化膜エッチングによく用いられているC₄F₈プラズマにおいて希釈ガスをAr

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 96 Kバイト