ＰＩＮダイオード内高速キャリア挙動の赤外レーザによる計測

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-241

グループ名: 【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集

発行日: 2001/03/21

タイトル(英語): Measurements of transient carrier-density in PIN-diode by infrared laser

著者名: 松本 康寛(東京工業大学),前田 直人(東京工業大学),井深 真治(東京工業大学),安岡 康一(東京工業大学),石井 彰三(東京工業大学)

著者名(英語): Yasuhiro Matsumoto(Tokyo Institute of Technology),Naoto Maeda(Tokyo Institute of Technology),Shinji Ibuka(Tokyo Institute of Technology),Koichi Yasuoka(Tokyo Institute of Technology),Shozo Ishii(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 赤外レーザ|キャリア密度|パワーデバイス

要約(日本語): パワーデバイスは電力、エネルギー分野における新しいエネルギー利用形態であるパルスパワー分野において注目を集めている。パワーデバイスは、高速、大電流パルスを制御する素子として使用されている。パルスパワ?応用ではパワーデバイスのＯＮ特性が重要である。ここで、大電力パワーデバイスの極限ＯＮ特性を把握することを目標とし、本研究ではその評価方法として赤外レーザによるＰＩＮダイオード内のキャリア挙動を測定した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 87 Kバイト