SiO2の光電子放出における表面電流の影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-025

グループ名: 【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集

発行日: 2001/03/21

タイトル(英語): Effect of Surface Current on Photoelectron Emission from SiO₂

著者名: 赤木 正宣(中央大学),榊原 剛(中央大学),橋本 雄一(キヤノン)

著者名(英語): Masanobu Akagi(Chuo University),Takeshi Sakakibara(Chuo University),YUichi Hashimoto(Canon Inc.)

キーワード: 光電子放出|表面処理

要約(日本語): SiO₂からの光電子放出現象について、表面電流との関連について実験を行った。その結果、表面の中性Arビーム処理による表面抵抗の変化および、表面電流による光電子放出のPhotothresholdの変化が確認された。この結果について、先に報告したマイカを用いた場合の実験結果と比較し、SiO₂の表面状態について考察を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 88 Kバイト